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新一代LVEM 25E低電壓電子顯微鏡,換樣僅需2分鐘

   2022-09-07 961
核心提示:                                 新一代LVEM 25E低電壓電子顯微鏡具有能量色散光譜(EDS)
                                  新一代LVEM 25E低電壓電子顯微鏡

具有能量色散光譜(EDS)功能

All In One:

具有TEM, STEM, SEM, EDS和ED 模式

操作簡單

換樣快捷,換樣僅需2 min

無需冷卻水

無需專業(yè)實驗室

維護(hù)成本超低

新一代低電壓電子顯微鏡LVEM 25E

LVEM 25E

近期,Delong公司研發(fā)推出了新一代LVEM 25E低電壓電子顯微鏡,該設(shè)備配備了TEM、STEM、SEM、EDS和ED五種成像和分析模式,將材料表征研究推向新的高度。超快的樣品切換和增強(qiáng)的自動化功能使LVEM 25E成為常規(guī)成像應(yīng)用中實用且易用的工具。LVEM 25E能從標(biāo)準(zhǔn)制備的樣品中獲得對比度好、細(xì)節(jié)豐富的圖像,并能在減少染色的情況下獲得同等細(xì)節(jié)水平的圖像。

LVEM 25E不僅可以測量內(nèi)部和外部結(jié)構(gòu),還可以分析樣品的化學(xué)成分,所有這些功能均在一臺設(shè)備上完成。先進(jìn)的軟件設(shè)計,可自動設(shè)置鏡筒對中光闌位置來協(xié)助用戶分析樣品。

一臺儀器有五種成像模式

? 配備TEM、STEM、SEM、EDS和ED模式

? 通過直觀的軟件輕松切換成像模式

? TEM和STEM模式下的明場和暗場測量

? SEM模式(BSE)用于表面測量

? 能量色散光譜(EDS)用于元素分析

? 電子衍射(ED)用于了解晶體結(jié)構(gòu)

完全集成和緊湊的設(shè)計

? 設(shè)計緊湊、節(jié)省空間

? 幾乎可以在任何實驗室環(huán)境中進(jìn)行單插頭安裝

? 沒有特殊的設(shè)施要求(不需要冷卻、電源或防震隔離)。

對標(biāo)準(zhǔn)樣品的高對比度和分辨率

? 對生物和輕型材料樣品具有超好的對比度

? 無需染色

? 圖像分辨率高達(dá) 1.0 nm

? 專為傳統(tǒng)制備的樣品設(shè)計

? 超快的樣品切換

 

一體化設(shè)計--緊湊、輕便

完全獨(dú)立的設(shè)計使安裝地點的選擇沒有限制,真正實現(xiàn)了電子顯微鏡的輕松搬遷。

無特殊設(shè)施--安裝無憂

LVEM 25E可以輕松地安裝在大多數(shù)實驗室,而不需要對電氣或管道進(jìn)行特殊考慮。只需將其插入一個標(biāo)準(zhǔn)的電源插座即能投入使用。

永磁透鏡 - 無需冷卻

獨(dú)特的LVEM平臺采用了永磁透鏡,使設(shè)備緊湊、堅固、易于使用,同時不需要任何冷卻。

快速且容易的真空恢復(fù) - 自動軟烘烤和噴槍調(diào)節(jié)

如果出現(xiàn)真空損失,LVEM 25E可減少停機(jī)時間。具有自動軟烘烤和噴槍調(diào)節(jié)功能,恢復(fù)真空的速度很快,而且不需要去維修。

直接光束測量--低劑量定量

該功能可使用戶測量樣品的輻照度。

自動對準(zhǔn),兩級放大 -優(yōu)異的成像條件

通過軟件自動調(diào)整和控制LVEM 25E的鏡筒對中光闌位置,操作者不需要手動校正。這意味著LVEM 25E總是準(zhǔn)備好以優(yōu)異的性能進(jìn)行成像,并允許在不同的模式之間快速、輕松地切換。

快速的樣品切換 - 高通量成像

真空系統(tǒng)采用一個集成的、免維護(hù)的渦輪分子泵,結(jié)合無振動的離子泵設(shè)計而成,可以實現(xiàn)超快的樣品切換,產(chǎn)生一個超高真空的成像環(huán)境,免受污染。

場發(fā)射電子槍 – 超高的對比度

25kV的肖特基型場發(fā)射電子槍具有非常高的亮度和空間一致性,允許發(fā)射的電子和樣品之間有很強(qiáng)的相互作用。這也是LVEM 25E具有獨(dú)特的高對比度的原因。

測試數(shù)據(jù)展示:

    LVEM 25E配備了TEM、STEM、SEM、ED和ED模式,為用戶提供了獨(dú)特的選擇。用戶可通過LVEM軟件在各種成像模式之間輕松切換,從一個樣品中獲得多種數(shù)據(jù)結(jié)果。

TEM STEM Dark Feild
25 kV TEM模式下提供了高幀率成像,以實現(xiàn)良好對比的尺寸、形狀和結(jié)構(gòu)測量。 在較低的加速電壓下,10 kV和15 kV STEM模式的成像提供了更高的對比度,并允許分析更厚的樣品。 TEM和STEM暗場模式(HAADF)都能使樣品在具有挑戰(zhàn)性的背景、晶面、位錯、DNA等方面更容易成像。
SEM ED EDS
SEM模式(BSE)提供對樣品表面的分析,以了解表面形狀和紋理。 電子衍射可以對晶體材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。 EDS模式允許分析樣品的化學(xué)成分,并創(chuàng)建元素成分圖,可與STEM和SEM數(shù)據(jù)疊加。
 
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