研發團隊展示8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓。 九峰山實驗室 供圖

薄膜鈮酸鋰因其出色的性能在濾波器、光通訊、量子通信、航空航天等領域均發揮著重要作用。九峰山實驗室工藝中心總經理柳俊介紹，由于鈮酸鋰材料本身的脆性大，大尺寸鈮酸鋰晶圓的制備工藝一直是業界的難題。目前，全球對薄膜鈮酸鋰的研發主要集中在3寸、4寸、6寸晶圓上，九峰山實驗室工藝中心成功研發出首款8寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓，打破了這一技術瓶頸，實現低損耗鈮酸鋰波導、高帶寬電光調制器芯片、高帶寬發射器芯片集成。“此項成果由九峰山實驗室聯合重要產業合作伙伴開發，在工藝和技術上達到了全球領先，將盡快實現產業商用。”

 

 

近年來，由于5G通信、大數據、人工智能等行業的強力驅動，光子集成技術得到極大關注。單晶薄膜鈮酸鋰則為解決光子集成芯片領域長期存在的低傳輸損耗、高密度集成以及低調制功耗需求提供了至今為止綜合性能最優的解決方案。

隨著調制速率要求的提高，薄膜鈮酸鋰的優勢將更加明顯，給未來的通信技術帶來巨大的潛力。據相關市場研究機構調查報告，預計2025年后，薄膜鈮酸鋰將逐漸商業化。

長江日報記者現場看到，除8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓外，九峰山實驗室還展出了6寸碳化硅新型溝槽MOSFET晶圓等一系列突破性產品。柳俊介紹：“作為湖北十大實驗室之一，九峰山實驗室擁有業界領先的化合物半導體基礎設施，從化合物半導體產品設計、外延生長、流片到測試，提供全鏈條的一站式服務。”